BSC060P03NS3EGATMA1 vs IRF4905STRRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC060P03NS3EGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IRF4905STRRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 - 30V P-Ch MOSFET 6mΩ 100A OptiMOS | Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC060P03NS3EGATMA1 | IRF4905STRRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 17.7 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 100 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 6 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | -2.5 V | — |
| Total Gate Charge Qg @ VGS=10V | 81 nC | — |
| Input Capacitance Ciss | 6.02 nF | — |
| Output Capacitance Coss | 2.81 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | 220 pF | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 83 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55°C to +150°C | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | D2PAK (TO-263-3) |
| Technology | OptiMOS™ P-channel Trench | HEXFET (Advanced Process) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -74 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=-10V | — | 20 mOhm |
| RDS(on) max at VGS=-4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -2.0 V to -4.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 120 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 170 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 C to +175 C |
| Lead-Free | — | Yes |