BSC060P03NS3EGATMA1 vs IRF4905STRRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC060P03NS3EGATMA1 tarafından Infineon ve IRF4905STRRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC060P03NS3EGATMA1 IRF4905STRRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V -55 V
Continuous Drain Current (Ta) 17.7 A —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ -2.5 V —
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V 81 nC —
Input Capacitance Ciss 6.02 nF —
Output Capacitance Coss 2.81 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 220 pF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C —
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) D2PAK (TO-263-3)
Technology OptiMOS™ P-channel Trench HEXFET (Advanced Process)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -74 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -2.0 V to -4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 170 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin