BSC060P03NS3EGATMA1 vs IRF4905STRRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC060P03NS3EGATMA1 بذریعہ Infineon اور IRF4905STRRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 - 30V P-Ch MOSFET 6mΩ 100A OptiMOS | Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC060P03NS3EGATMA1 | IRF4905STRRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 17.7 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 100 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 6 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | -2.5 V | — |
| Total Gate Charge Qg @ VGS=10V | 81 nC | — |
| Input Capacitance Ciss | 6.02 nF | — |
| Output Capacitance Coss | 2.81 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | 220 pF | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 83 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +150°C | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | D2PAK (TO-263-3) |
| Technology | OptiMOS™ P-channel Trench | HEXFET (Advanced Process) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -74 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=-10V | — | 20 mOhm |
| RDS(on) max at VGS=-4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -2.0 V to -4.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 120 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 170 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C |
| Lead-Free | — | Yes |