BSD235CH6327XTSA1 vs SI1553DL-T1-GE3 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSD235CH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও SI1553DL-T1-GE3 নির্দিষ্ট Vishay Intertechnology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়Vishay Intertechnology
SI1553DL-T1-GE3 - Complementary 20V MOSFET Array | Vishay
SI1553DL-T1-GE3 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSD235CH6327XTSA1 | SI1553DL-T1-GE3 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Vishay Intertechnology |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| Part Family | OptiMOS™ | — |
| Configuration | N+P complementary dual MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | 950 mA | — |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | 530 mA (negative polarity) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | — |
| Package Type | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ low-voltage | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +150 °C (junction) | -55C to +150C (TJ) |
| Polarity | N-channel + P-channel | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (lead-free) | — |
| MSL লেভেল | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| পিন সংখ্যা | 6 | — |
| Part Number | — | SI1553DL-T1-GE3 |
| Transistor Polarity | — | Complementary N and P Channel |
| Number of Channels | — | 2 (1 N-channel + 1 P-channel) |
| Drain-Source Voltage VDS (max) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current ID - N-Channel | — | 700 mA |
| Continuous Drain Current ID - P-Channel | — | 500 mA |
| On-Resistance RDS(on) - N-Channel | — | 0.32 ohm (typ at VGS = 4.5 V) |
| On-Resistance RDS(on) - P-Channel | — | [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) value] |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | — | 2.5 V (max) |
| Gate-Source Voltage VGS (max) | — | [DATA_NEEDED: +/- VGS absolute maximum] |
| Power Dissipation PD | — | 340 mW |
| প্যাকেজ | — | SC-70-6 / SOT-363-6 |
| Process Technology | — | TrenchFET |
| Termination Finish | — | Lead-free (Pb-free), Halogen-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant per Directive 2002/95/EC |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes (per IEC 61249-2-21) |