BSD235CH6327XTSA1 vs SI1553DL-T1-GE3 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSD235CH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور SI1553DL-T1-GE3 بذریعہ Vishay Intertechnology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ فعالVishay Intertechnology
SI1553DL-T1-GE3 - Complementary 20V MOSFET Array | Vishay
SI1553DL-T1-GE3 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSD235CH6327XTSA1 | SI1553DL-T1-GE3 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Vishay Intertechnology |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| Part Family | OptiMOS™ | — |
| Configuration | N+P complementary dual MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | 950 mA | — |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | 530 mA (negative polarity) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | — |
| Package Type | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ low-voltage | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C (junction) | -55C to +150C (TJ) |
| Polarity | N-channel + P-channel | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (lead-free) | — |
| MSL لیول | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| پن کی تعداد | 6 | — |
| Part Number | — | SI1553DL-T1-GE3 |
| Transistor Polarity | — | Complementary N and P Channel |
| Number of Channels | — | 2 (1 N-channel + 1 P-channel) |
| Drain-Source Voltage VDS (max) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current ID - N-Channel | — | 700 mA |
| Continuous Drain Current ID - P-Channel | — | 500 mA |
| On-Resistance RDS(on) - N-Channel | — | 0.32 ohm (typ at VGS = 4.5 V) |
| On-Resistance RDS(on) - P-Channel | — | [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) value] |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | — | 2.5 V (max) |
| Gate-Source Voltage VGS (max) | — | [DATA_NEEDED: +/- VGS absolute maximum] |
| Power Dissipation PD | — | 340 mW |
| پیکیج | — | SC-70-6 / SOT-363-6 |
| Process Technology | — | TrenchFET |
| Termination Finish | — | Lead-free (Pb-free), Halogen-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant per Directive 2002/95/EC |
| ہیلوجن فری | — | Yes (per IEC 61249-2-21) |