BSP316PH6327XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSP316PH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSP135H6906XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSP316PH6327XTSA1 BSP135H6906XTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type P-Channel N-Channel Depletion Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -680 mA 120 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C 1.8 W —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
প্যাকেজ PG-SOT223-4 (TO-261-4) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C
পিনের সংখ্যা 3 + thermal tab —
Channel Mode Enhancement —
Technology SIPMOS (P-channel MOSFET) SIPMOS (planar high-voltage)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল 1 1 (unlimited)
Packaging Tape & Reel (H6327 suffix) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
RDS(on) Max at VGS=0V — 45 Ohm
Power Dissipation (PD) Max — 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) — Depletion mode (normally-on)
পিন সংখ্যা — 4 (3 leads + drain tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record)
Lead-Free — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট