BSP316PH6327XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP316PH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP135H6906XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSP316PH6327XTSA1 | BSP135H6906XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | P-Channel | N-Channel Depletion Mode |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | -680 mA | 120 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | 1.8 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Paket | PG-SOT223-4 (TO-261-4) | PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +150C |
| Pin Sayısı | 3 + thermal tab | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Technology | SIPMOS (P-channel MOSFET) | SIPMOS (planar high-voltage) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 (unlimited) |
| Packaging | Tape & Reel (H6327 suffix) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 600 V |
| RDS(on) Max at VGS=0V | — | 45 Ohm |
| Power Dissipation (PD) Max | — | 1.8 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(off)) | — | Depletion mode (normally-on) |
| Pin Sayısı | — | 4 (3 leads + drain tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) |
| Lead-Free | — | Yes |