BSP92PH6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSP92PH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSP88H6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSP92PH6327XTSA1 - P-Channel 250V 260mA MOSFET SOT-223 | Infineon
BSP92PH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSP92PH6327XTSA1 | BSP88H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -250 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -260 mA (Ta) | 350 mA at Ta=25 C |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | 1.8 W at Ta=25 C |
| প্যাকেজ | PG-SOT223-4 (SOT-223-4) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Polarity | P-Channel | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55C to +150C (Tj) | -55 C to +150 C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | 6 ohm typical at VGS=10 V |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| MSL লেভেল | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| পিন সংখ্যা | 4 (Gate, Drain, Drain, Source) | — |
| Configuration | — | Single |
| Technology | — | SIPMOS (planar enhancement mode) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Drain Tab Connection | — | SOT-223 tab is drain |