BSP92PH6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP92PH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP88H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSP92PH6327XTSA1 | BSP88H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET | — |
| Transistor Türü | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -250 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -260 mA (Ta) | 350 mA at Ta=25 C |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | 1.8 W at Ta=25 C |
| Paket | PG-SOT223-4 (SOT-223-4) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Polarity | P-Channel | — |
| İşletim Sıcaklığı | -55C to +150C (Tj) | -55 C to +150 C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | 6 ohm typical at VGS=10 V |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Pin Sayısı | 4 (Gate, Drain, Drain, Source) | — |
| Configuration | — | Single |
| Technology | — | SIPMOS (planar enhancement mode) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Drain Tab Connection | — | SOT-223 tab is drain |