BSS316NH6327XTSA1 vs BSP149H6327XTSA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS316NH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSP149H6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSS316NH6327XTSA1 | BSP149H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Technology | OptiMOS 2 (Trench) | SIPMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ | 2 V at ID=3.7 uA | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 600 pC at VGS=5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 94 pF at VDS=15 V | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: output capacitance] | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C | 500 mW | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +150 C | — |
| প্যাকেজ | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT223-4 (SOT-223-4) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Plating | Pb-free (Matte Tin) | — |
| MSL লেভেল | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| Mode of Operation | — | Depletion Mode (normally ON) |
| Drain-Source Voltage VDS | — | 200 V |
| Continuous Drain Current ID | — | 660 mA (Ta) |
| Power Dissipation PD | — | 1.8 W (Ta) |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1 ohm (typ) |
| Gate-Source Voltage VGS | — | [DATA_NEEDED: max VGS rating] |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | -55 C to +150 C (Tj) |
| Channel Count | — | 1 |
| পিন সংখ্যা | — | 4 (G, D, S, tab) |
| Configuration | — | Single |