BSS316NH6327XTSA1 vs BSP149H6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS316NH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP149H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS316NH6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS 2 (Trench) SIPMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V at ID=3.7 uA —
Total Gate Charge (Qg) 600 pC at VGS=5 V —
Input Capacitance (Ciss) 94 pF at VDS=15 V —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: output capacitance] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C —
Paket PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) —
MSL Seviyesi MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Transistor Polarity — N-Channel
Mode of Operation — Depletion Mode (normally ON)
Drain-Source Voltage VDS — 200 V
Continuous Drain Current ID — 660 mA (Ta)
Power Dissipation PD — 1.8 W (Ta)
On-State Resistance RDS(on) — 1 ohm (typ)
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
İşletim Sıcaklığı — -55 C to +150 C (Tj)
Channel Count — 1
Pin Sayısı — 4 (G, D, S, tab)
Configuration — Single

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin