BSZ065N03LSATMA1 vs IQDH35N03LM5CGATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSZ065N03LSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQDH35N03LM5CGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSZ065N03LSATMA1 | IQDH35N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 30V | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | — |
| প্যাকেজ / কেস | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +175 °C |
| MSL লেভেল | 1 | 1 |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| প্যাকেজ | — | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |
| Channel Type | — | N-Channel |