H5TC4G63MFR-PBA vs K4B4G1646E-BYMA তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5TC4G63MFR-PBA নির্দিষ্ট SK hynix ও K4B4G1646E-BYMA নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | H5TC4G63MFR-PBA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | SK hynix | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $14.32 |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (+0.100V/-0.067V) | — |
| ডেটা রেট | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1866 Mbps/pin |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | BL8, BL4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| CAS Latency (CL) | Programmable | — |
| CAS Write Latency (CWL) | Programmable | — |
| Additive Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | Yes | — |
| Process Technology | 30nm-class | — |
| RoHS Compliant | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| CAS লেটেন্সি | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| পিনের সংখ্যা | — | 96 |