H5TC4G63MFR-PBA vs K4B4G1646E-BYMA השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5TC4G63MFR-PBA מאת SK hynix ו K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5TC4G63MFR-PBA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $14.32 |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (+0.100V/-0.067V) | — |
| קצב נתונים | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1866 Mbps/pin |
| מארז | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | BL8, BL4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| CAS Latency (CL) | Programmable | — |
| CAS Write Latency (CWL) | Programmable | — |
| Additive Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | Yes | — |
| Process Technology | 30nm-class | — |
| RoHS Compliant | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| מתח אספקה | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| טמפרטורת פעולה | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| מספר פינים | — | 96 |