H5TC4G63MFR-PBA vs K4B4G1646E-BYMA موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5TC4G63MFR-PBA بذریعہ SK hynix اور K4B4G1646E-BYMA بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5TC4G63MFR-PBA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $14.32 |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (+0.100V/-0.067V) | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1866 Mbps/pin |
| پیکیج | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | BL8, BL4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| CAS Latency (CL) | Programmable | — |
| CAS Write Latency (CWL) | Programmable | — |
| Additive Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | Yes | — |
| Process Technology | 30nm-class | — |
| RoHS Compliant | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| پنز کی تعداد | — | 96 |