IAUCN04S6N009TATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUCN04S6N009TATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC011N03L5SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IAUCN04S6N009TATMA1 IAUCN04S6N009TATMA1 - 40V 0.9mΩ OptiMOS 6 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN04S6N009TATMA1 - 40V 0.9mΩ OptiMOS 6 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN04S6N009TATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IAUCN04S6N009TATMA1 ISC011N03L5SATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 40 V —
Part Number IAUCN04S6N009T —
Ordering Code (MPN) IAUCN04S6N009TATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, at Tj) 330 A —
Power Dissipation (PD, at Tc) 178 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.9 mΩ —
প্যাকেজ PG-LHDSO-10-2 (SSO10T) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 5 trench MOSFET
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Gate Threshold VGS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Series — OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 37 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 100 A
Power Dissipation (PD) @ Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) @ Tc=25C — 96 W
অপারেটিং তাপমাত্রা — -55 C to +175 C (TJ)
Gate Drive — Logic-level compatible
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant
MSL লেভেল — 1 (per JEDEC J-STD-020)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট