IAUCN04S6N009TATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUCN04S6N009TATMA1 bằng Infineon và ISC011N03L5SATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUCN04S6N009TATMA1 - 40V 0.9mΩ OptiMOS 6 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN04S6N009TATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUCN04S6N009TATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 40 V | — |
| Part Number | IAUCN04S6N009T | — |
| Ordering Code (MPN) | IAUCN04S6N009TATMA1 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, at Tj) | 330 A | — |
| Power Dissipation (PD, at Tc) | 178 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 0.9 mΩ | — |
| Hộp | PG-LHDSO-10-2 (SSO10T) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| Gate Threshold VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Cấp MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |