IAUCN04S7N024HATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUCN04S7N024HATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUCN04S7L042GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IAUCN04S7N024HATMA1 IAUCN04S7N024HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS-7 2.46mΩ | Infineon

IAUCN04S7N024HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS-7 2.46mΩ | Infineon

IAUCN04S7N024HATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon

IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon

IAUCN04S7L042GATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IAUCN04S7N024HATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-7 40 V —
Configuration Dual N-Channel (independent) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 100 A —
On-Resistance R_DS(on) typ 2.46 mΩ at V_GS = 10 V —
On-Resistance R_DS(on) max [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at 10 V V_GS] —
Maximum Power Dissipation (Tc) 75 W —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-56 (SSO8 HB 5x6 mm) PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +175C (Tj)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology OptiMOS-7 trench-gate Trench N-Channel MOSFET
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: typical V_GS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total Qg] [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Packing Tape & Reel Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Product Family — OptiMOS 7 40V
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 77 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট