IPD200N15N3GATMA1 vs IPD320N20N3GATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD200N15N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD320N20N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPD320N20N3GATMA1 - 200V 34A OptiMOS3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD320N20N3GATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD200N15N3GATMA1 | IPD320N20N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD200N15N3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (trench) | OptiMOS 3 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 20 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | 150 W | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 C to +175 C | — |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিন সংখ্যা | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| MSL লেভেল | 1 | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 34 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 136 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 32 mOhm at VGS = 10 V |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | — | Excellent (per datasheet) |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 C to +175 C (Tj) |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| JEDEC Qualification | — | Qualified for target application |
| Channel Mode | — | Enhancement mode |
| Gate Threshold Level | — | Normal level (per datasheet title) |