IPD200N15N3GATMA1 vs IPD320N20N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD200N15N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPD320N20N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD200N15N3GATMA1 IPD320N20N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD200N15N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (trench) OptiMOS 3
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 150 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 34 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 136 W
On-Resistance RDS(on) max — 32 mOhm at VGS = 10 V
Gate Charge x RDS(on) FOM — Excellent (per datasheet)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C (Tj)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
JEDEC Qualification — Qualified for target application
Channel Mode — Enhancement mode
Gate Threshold Level — Normal level (per datasheet title)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin