IPD380P06NMATMA1 vs BSZ180P03NS3EGATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD380P06NMATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSZ180P03NS3EGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSZ180P03NS3EGATMA1 - 30V P-Channel OptiMOS P3 MOSFET | Infineon
BSZ180P03NS3EGATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD380P06NMATMA1 | BSZ180P03NS3EGATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Polarity / Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | 60 V | — |
| কন্টিনিউয়াস ড্রেইন কারেন্ট (TC=25°C) | 35 A | — |
| Power Dissipation (Tc) | 125 W | 40 W |
| Technology | OptiMOS P-channel trench | OptiMOS P3 |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +150 C (junction) | -55°C to +150°C (TJ) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Avalanche Rated | Yes (per manufacturer datasheet) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 | 1 |
| Target Applications | Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Automotive Qualified | Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade] | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | P-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) - Ta | — | 9 A |
| Continuous Drain Current (ID) - Tc | — | 39.5 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 18 mΩ @ VGS = -10 V |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge (QG) total | — | [DATA_NEEDED: QG total] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.1 W |