IPD80R280P7ATMA1 vs IPD50N04S408ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD80R280P7ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD50N04S408ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD80R280P7ATMA1 | IPD50N04S408ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 | OptiMOS-T2 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS P7) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 800 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 17 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 280 mOhm | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 101 W | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55C to +150C | — |
| ESD Protection | Integrated (per datasheet) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 (260 °C peak reflow) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Mode | — | Enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (V DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I D, Tc) | — | 50 A |
| Power Dissipation (P D, Tc) | — | 46 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | — | 100 % Avalanche tested |
| Green Package (RoHS) | — | RoHS compliant |
| Gate Threshold Voltage (V GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] |
| On-State Resistance (R DS(on)) | — | [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] |
| Total Gate Charge (Q G) | — | [DATA_NEEDED: Q G typical] |