IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG16N10S461AATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPG20N06S2L65AATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPG16N10S461AATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPG16N10S461AATMA1 IPG16N10S461AATMA1 - Dual N-Ch 100V 16A 61mΩ MOSFET | Infineon

IPG16N10S461AATMA1 - Dual N-Ch 100V 16A 61mΩ MOSFET | Infineon

IPG16N10S461AATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPG20N06S2L65AATMA1 IPG16N10S461AATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) 16 A
Power Dissipation (PD) 43 W —
Gate Threshold (VGS(th)) Logic-Level —
Technology OptiMOS Trench MOSFET OptiMOS™ trench
প্যাকেজ PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা -55 C to +175 C —
AEC-Q101 Qualification Yes —
MSL লেভেল MSL1 (peak reflow 260 C) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (Green Product) Compliant
Avalanche Tested 100% (per datasheet) —
AOI Compatible Yes (wettable flank) —
Product Type — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
On-Resistance R_DS(on) typ. — 61 mΩ
Total Power Dissipation (Ptot) — 29 W (T_C = 25°C)
Configuration — 2 N-Channel (Dual, separate)
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Maximum Junction Temperature — 175 °C
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55 °C to +175 °C
Terminal Count — 8
Built-in Body Diode — Yes
Channel Mode — Enhancement

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট