IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG16N10S461AATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPG20N06S2L65AATMA1 מאת Infineon ו IPG16N10S461AATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPG20N06S2L65AATMA1 | IPG16N10S461AATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | 16 A |
| Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | Logic-Level | — |
| Technology | OptiMOS Trench MOSFET | OptiMOS™ trench |
| מארז | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| רמת MSL | MSL1 (peak reflow 260 C) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| סטטוס RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (wettable flank) | — |
| Product Type | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| On-Resistance R_DS(on) typ. | — | 61 mΩ |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 29 W (T_C = 25°C) |
| Configuration | — | 2 N-Channel (Dual, separate) |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |
| Terminal Count | — | 8 |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Channel Mode | — | Enhancement |