IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG16N10S461AATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPG20N06S2L65AATMA1 bằng Infineon và IPG16N10S461AATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPG16N10S461AATMA1 - Dual N-Ch 100V 16A 61mΩ MOSFET | Infineon
IPG16N10S461AATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPG20N06S2L65AATMA1 | IPG16N10S461AATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | 16 A |
| Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | Logic-Level | — |
| Technology | OptiMOS Trench MOSFET | OptiMOS™ trench |
| Hộp | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| Cấp MSL | MSL1 (peak reflow 260 C) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Trạng thái RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (wettable flank) | — |
| Product Type | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| On-Resistance R_DS(on) typ. | — | 61 mΩ |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 29 W (T_C = 25°C) |
| Configuration | — | 2 N-Channel (Dual, separate) |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +175 °C |
| Terminal Count | — | 8 |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Channel Mode | — | Enhancement |