IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG16N10S461AATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N06S2L65AATMA1 بذریعہ Infineon اور IPG16N10S461AATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPG20N06S2L65AATMA1 | IPG16N10S461AATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | 16 A |
| Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | Logic-Level | — |
| Technology | OptiMOS Trench MOSFET | OptiMOS™ trench |
| پیکیج | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55 C to +175 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| MSL لیول | MSL1 (peak reflow 260 C) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (wettable flank) | — |
| Product Type | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| On-Resistance R_DS(on) typ. | — | 61 mΩ |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 29 W (T_C = 25°C) |
| Configuration | — | 2 N-Channel (Dual, separate) |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +175 °C |
| Terminal Count | — | 8 |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Channel Mode | — | Enhancement |