IPG20N06S2L65ATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPG20N06S2L65ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC042NE7NS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPG20N06S2L65ATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type Dual N-Channel, Logic Level —
Technology OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) 20 A per channel —
RDS(on) at VGS=10V 65 mΩ typical —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic level) —
Total Power Dissipation (Ptot) 43 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +175°C -55C to +150C
প্যাকেজ PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল MSL1 (260°C peak reflow) 1
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS Compliance RoHS Compliant (Green Product) —
Packaging Tape & Reel (TMA1 suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC042NE7NS3GATMA1
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10V — 4.2 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.7 V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 125 W
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট