IPG20N10S4L22AATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPG20N10S4L22AATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD50N06S409ATMA2 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPG20N10S4L22AATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | Dual N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 20 A | — |
| On-State Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) | 22 mΩ (typical) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 60 W | — |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) | ±20 V | — |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Lead Configuration | Wettable Flank | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Technology | OptiMOS T2 | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55°C to +175°C | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Channel Count | 2 (dual independent) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 °C to +175 °C |
| পিন সংখ্যা | — | 3 (2 + Tab) |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |