IPG20N10S4L22AATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N10S4L22AATMA1 tarafından Infineon ve IPD50N06S409ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPG20N10S4L22AATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | Dual N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 20 A | — |
| On-State Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) | 22 mΩ (typical) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 60 W | — |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) | ±20 V | — |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Paket | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Lead Configuration | Wettable Flank | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Technology | OptiMOS T2 | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| İşletim Sıcaklığı | -55°C to +175°C | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Channel Count | 2 (dual independent) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Pin Sayısı | — | 3 (2 + Tab) |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |