IPL60R105P7AUMA1 vs IPL65R200CFD7AUMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPL60R105P7AUMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPL65R200CFD7AUMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IPL60R105P7AUMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPL65R200CFD7AUMA1 IPL65R200CFD7AUMA1 - 650V 14A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL65R200CFD7AUMA1 - 650V 14A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL65R200CFD7AUMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPL60R105P7AUMA1 IPL65R200CFD7AUMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS CFD7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET CoolMOS Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 650 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C —
প্যাকেজ PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) PG-VSON-4
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
হ্যালোজেন মুক্ত Yes —
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 14 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 81 W
On-Resistance (RDS(on)) — 0.2 ohm at VGS=10V, ID=5.2A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
অপারেটিং তাপমাত্রা — -55C to +150C (TJ)
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg value]
Body Diode — Fast-recovery intrinsic
Gate-Source ESD Protection — Yes (integrated)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট