IPL60R105P7AUMA1 vs IPL65R200CFD7AUMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPL60R105P7AUMA1 מאת Infineon ו IPL65R200CFD7AUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPL60R105P7AUMA1 | IPL65R200CFD7AUMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS CFD7 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET | CoolMOS Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 650 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 105 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | 137 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 45 nC | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C | — |
| מארז | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) | PG-VSON-4 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 14 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 81 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.2 ohm at VGS=10V, ID=5.2A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V |
| טמפרטורת פעולה | — | -55C to +150C (TJ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg value] |
| Body Diode | — | Fast-recovery intrinsic |
| Gate-Source ESD Protection | — | Yes (integrated) |