IPL60R105P7AUMA1 vs IPL65R200CFD7AUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPL60R105P7AUMA1 بذریعہ Infineon اور IPL65R200CFD7AUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPL65R200CFD7AUMA1 IPL65R200CFD7AUMA1 - 650V 14A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL65R200CFD7AUMA1 - 650V 14A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL65R200CFD7AUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPL60R105P7AUMA1 IPL65R200CFD7AUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS CFD7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET CoolMOS Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 650 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C —
پیکیج PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) PG-VSON-4
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
ہیلوجن فری Yes —
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 14 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 81 W
On-Resistance (RDS(on)) — 0.2 ohm at VGS=10V, ID=5.2A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C (TJ)
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg value]
Body Diode — Fast-recovery intrinsic
Gate-Source ESD Protection — Yes (integrated)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں