IPL65R070C7AUMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPL65R070C7AUMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD60R280P7SAUMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPL65R070C7AUMA1 | IPD60R280P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS C7 | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) |
| Technology | Superjunction N-Channel MOSFET | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 28 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 70 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] | 4 V max @ ID = 190 µA |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 169 W | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 171 mJ | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55°C to +150°C | — |
| প্যাকেজ | PG-VSON-4 (surface mount) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 12 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 280 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 53 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -40 °C to +150 °C |
| Integrated ESD Protection | — | Yes |