IPT012N08NF2SATMA1 vs IRF7854TRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPT012N08NF2SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IRF7854TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPT012N08NF2SATMA1 | IRF7854TRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $0.48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPT012N08NF2SATMA1 | — |
| Product Family | StrongIRFET™ | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 39 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 351 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V | 1.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Max | 3.8 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 °C to +175 °C | — |
| প্যাকেজ | PG-HSOF-8-10 (HSOF) | SO-8 |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Count (incl. tab) | 9 pins (8+tab) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-derived) | HEXFET (planar N-channel) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Packing | Tape & Reel (T/R) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 10 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25°C | — | 2.5 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 13.4 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max | — | 4.9 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 27 nC |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55°C to +150°C (TJ) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix, lead-free) |
| Qualification | — | JEDEC industrial, Normal level |
| Solder Process | — | Reflow and wave-solderable |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |