IPTC039N15NM5ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPTC039N15NM5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD65R380E6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPTC039N15NM5ATMA1 IPTC039N15NM5ATMA1 - 150V 190A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPTC039N15NM5ATMA1 - 150V 190A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPTC039N15NM5ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 - 650V CoolMOS E6 MOSFET 380mΩ 10.6A | Infineon

IPD65R380E6ATMA1 - 650V CoolMOS E6 MOSFET 380mΩ 10.6A | Infineon

IPD65R380E6ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPTC039N15NM5ATMA1 IPD65R380E6ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 CoolMOS™ E6
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 190 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 319 W —
On-Resistance RDS(on) typical 3.9 mOhm —
Gate Charge Qg typical 74 nC —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
অপারেটিং তাপমাত্রা -55 C to +175 C (junction) —
প্যাকেজ PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench Superjunction (CoolMOS™)
Cooling Top-side cooled (case above PCB) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (V_DS) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 10.6 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 380 mΩ
R_DS(on) test conditions — 3.2 A, 10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V typ
Gate Charge (Q_G) — 39 nC at 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 710 pF at 100 V
Power Dissipation (P_D) at T_C — 83 W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55 °C to +150 °C
MSL লেভেল — 1

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট