IPW60R080P7XKSA1 vs IPA60R190C6XKSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPW60R080P7XKSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPA60R190C6XKSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPW60R080P7XKSA1 IPW60R080P7XKSA1 - 600V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPW60R080P7XKSA1 - 600V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPW60R080P7XKSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 - 600V 20.2A CoolMOS C6 N-MOSFET | Infineon

IPA60R190C6XKSA1 - 600V 20.2A CoolMOS C6 N-MOSFET | Infineon

IPA60R190C6XKSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPW60R080P7XKSA1 IPA60R190C6XKSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 CoolMOS C6
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 37 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 129 W —
RDS(on) (typ) 69 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ, per datasheet family) —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg typ]
Rise Time / Fall Time (tr/tf) [DATA_NEEDED: tr/tf value] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C
প্যাকেজ PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole) PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab)
মাউন্টিং টাইপ Through Hole Through Hole
Packaging Tube (XKSA1 ordering suffix) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 20.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 34 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Tab Isolation — Fully isolated (4 kV)
Lead Free — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট