IPW60R080P7XKSA1 vs IPA60R190C6XKSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPW60R080P7XKSA1 द्वारा Infineon और IPA60R190C6XKSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPW60R080P7XKSA1 | IPA60R190C6XKSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 | CoolMOS C6 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 37 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 129 W | — |
| RDS(on) (typ) | 69 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ, per datasheet family) | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg value] | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Rise Time / Fall Time (tr/tf) | [DATA_NEEDED: tr/tf value] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +150C |
| पैकेज | PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole) | PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| Packaging | Tube (XKSA1 ordering suffix) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 20.2 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 34 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V |
| Tab Isolation | — | Fully isolated (4 kV) |
| Lead Free | — | Yes |