IPW60R080P7XKSA1 vs IPA60R190C6XKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPW60R080P7XKSA1 بذریعہ Infineon اور IPA60R190C6XKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 - 600V 20.2A CoolMOS C6 N-MOSFET | Infineon

IPA60R190C6XKSA1 - 600V 20.2A CoolMOS C6 N-MOSFET | Infineon

IPA60R190C6XKSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPW60R080P7XKSA1 IPA60R190C6XKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 CoolMOS C6
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 37 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 129 W —
RDS(on) (typ) 69 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ, per datasheet family) —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg typ]
Rise Time / Fall Time (tr/tf) [DATA_NEEDED: tr/tf value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C
پیکیج PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole) PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Packaging Tube (XKSA1 ordering suffix) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 20.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 34 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Tab Isolation — Fully isolated (4 kV)
Lead Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں