IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQEH68NE2LM7UCGATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQEH68NE2LM7UCGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQEH68NE2LM7UCGATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS 7 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | — |
| প্যাকেজ | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-TTFN-9-3 (surface mount) |
| পিন সংখ্যা | 9 | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant (per distributor listing) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | — | 47 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc | — | 338 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc | — | 130 W |
| Gate Threshold Voltage Type | — | Logic-level (per OptiMOS 7 family) |
| On-Resistance Family | — | RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) |
| Packaging | — | Tape & Reel (per ATMA1 suffix) |