IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQEH68NE2LM7UCGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQEH68NE2LM7UCGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQEH68NE2LM7UCGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS 7 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | — |
| Paket | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-TTFN-9-3 (surface mount) |
| Pin Sayısı | 9 | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant (per distributor listing) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | — | 47 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc | — | 338 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc | — | 130 W |
| Gate Threshold Voltage Type | — | Logic-level (per OptiMOS 7 family) |
| On-Resistance Family | — | RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) |
| Packaging | — | Tape & Reel (per ATMA1 suffix) |