IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQEH68NE2LM7UCGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQEH68NE2LM7UCGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQEH68NE2LM7UCGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS 7 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | — |
| پیکیج | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-TTFN-9-3 (surface mount) |
| پن کی تعداد | 9 | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (per distributor listing) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | — | 47 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc | — | 338 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc | — | 130 W |
| Gate Threshold Voltage Type | — | Logic-level (per OptiMOS 7 family) |
| On-Resistance Family | — | RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) |
| Packaging | — | Tape & Reel (per ATMA1 suffix) |