IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQE031N08LM6CGSCATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQDH88N06LM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQE031N08LM6CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQE031N08LM6CGSCATMA1 - 80V OptiMOS 6 N-Ch MOSFET 127A | Infineon
IQE031N08LM6CGSCATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | IQE031N08LM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | 42 A | — |
| কন্টিনিউয়াস ড্রেইন কারেন্ট (TC=25°C) | 447 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | 0.86 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 3 W | — |
| পাওয়ার ডিসিপেশন (TC=25°C) | 333 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge Qg typical | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55°C to +175°C (TJ) | -55 C to +175 C (junction, typical for OptiMOS 6) |
| প্যাকেজ | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) | PG-WHTFN-9 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিন সংখ্যা | 9 (with exposed pad) | — |
| Cooling | Dual-side cooling capable | — |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon PQFN) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 6 (40 V to 100 V) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS max) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 127 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10 V] |
| Gate Drive Level | — | Logic-level |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche tested |
| Lead-Free | — | Yes |