IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQE031N08LM6CGSCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQDH88N06LM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon और IQE031N08LM6CGSCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQE031N08LM6CGSCATMA1 - 80V OptiMOS 6 N-Ch MOSFET 127A | Infineon
IQE031N08LM6CGSCATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | IQE031N08LM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | 42 A | — |
| कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=25°C) | 447 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | 0.86 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 3 W | — |
| पावर डिसिपेशन (TC=25°C) | 333 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge Qg typical | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C (TJ) | -55 C to +175 C (junction, typical for OptiMOS 6) |
| पैकेज | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) | PG-WHTFN-9 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 9 (with exposed pad) | — |
| Cooling | Dual-side cooling capable | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon PQFN) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 6 (40 V to 100 V) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS max) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 127 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10 V] |
| Gate Drive Level | — | Logic-level |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche tested |
| Lead-Free | — | Yes |