IQE018N06NM6CGATMA1 vs IPT030N12N3GATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQE018N06NM6CGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPT030N12N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPT030N12N3GATMA1 - 120V 237A 3mΩ N-Channel OptiMOS 3 | Infineon
IPT030N12N3GATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQE018N06NM6CGATMA1 | IPT030N12N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | — |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 178 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | 25 A | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | 1.8 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.3 V (logic-level compatible) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 125 W | — |
| প্যাকেজ | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) | PG-HSOF-8-1 (TOLL) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C (junction) | — |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | OptiMOS 3 |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Configuration | — | Single |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 120 V |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | 20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | — | 3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 24 A (Ta) |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 237 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3.8 W (Ta) |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 375 W (Tc) |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualified | — | Yes (per manufacturer datasheet) |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant with Exemption |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |