IQE018N06NM6CGATMA1 vs IPT030N12N3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE018N06NM6CGATMA1 द्वारा Infineon और IPT030N12N3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPT030N12N3GATMA1 - 120V 237A 3mΩ N-Channel OptiMOS 3 | Infineon
IPT030N12N3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE018N06NM6CGATMA1 | IPT030N12N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | — |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 178 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | 25 A | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | 1.8 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.3 V (logic-level compatible) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 125 W | — |
| पैकेज | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) | PG-HSOF-8-1 (TOLL) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (junction) | — |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | OptiMOS 3 |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Configuration | — | Single |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 120 V |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | 20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | — | 3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 24 A (Ta) |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 237 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3.8 W (Ta) |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 375 W (Tc) |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualified | — | Yes (per manufacturer datasheet) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant with Exemption |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |