IQE018N06NM6CGATMA1 vs IPT030N12N3GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQE018N06NM6CGATMA1 מאת Infineon ו IPT030N12N3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IQE018N06NM6CGATMA1 | IPT030N12N3GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | — |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 178 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | 25 A | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | 1.8 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.3 V (logic-level compatible) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 125 W | — |
| מארז | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) | PG-HSOF-8-1 (TOLL) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C (junction) | — |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | OptiMOS 3 |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Configuration | — | Single |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 120 V |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | 20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | — | 3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 24 A (Ta) |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 237 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3.8 W (Ta) |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 375 W (Tc) |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualified | — | Yes (per manufacturer datasheet) |
| סטטוס RoHS | — | Compliant with Exemption |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |