IQE020N04LM6CGSCATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQE020N04LM6CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISZ230N10NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9
IQE020N04LM6CGSCATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQE020N04LM6CGSCATMA1 | ISZ230N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 100 V |
| Continuous Drain Current at TA=25°C | 25 A | — |
| Continuous Drain Current at TC=25°C | 166 A | — |
| Maximum RDS(on) | 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 107 W | — |
| প্যাকেজ | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) |
| পিন সংখ্যা | 9 | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) | -55 °C to +150 °C (junction) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Technology | OptiMOS 6 trench | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 7.7 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 31 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 23 mΩ (typ, ID=10A) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 3.3 V (typ at 13 µA) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |
| Family | — | OptiMOS 6 (100V class) |