IRF3710ZPBF vs IRF1310NPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF3710ZPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF1310NPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRF3710ZPBF | IRF1310NPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (Advanced Process) | HEXFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 59 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 160 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 18 mOhm (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 82 nC (typical) | 73.3 nC |
| Maximum Junction Operating Temperature | 175 C | — |
| Gate Drive Voltage (Optimized) | 10 V | — |
| প্যাকেজ | TO-220AB (through-hole, 3 pins) | TO-220AB (through-hole) |
| মাউন্টিং টাইপ | Through Hole | Through Hole |
| Pin Configuration | G-D-S (Gate-Drain-Source, standard TO-220) | — |
| Qualification Standard | JEDEC, Normal Level | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (PBF suffix) | Compliant (PBF suffix) |
| Lead-Free | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 42 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 36 mOhm |
| Gate-Source Charge (Qgs) | — | [DATA_NEEDED: Qgs value] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd value] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 160 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 C to +175 C |