IRF4905STRLPBF vs IRF4905LPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF4905STRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF4905LPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon

IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon

IRF4905STRLPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRF4905LPBF IRF4905LPBF - P-Ch -55V 74A 20mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905LPBF - P-Ch -55V 74A 20mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905LPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRF4905STRLPBF IRF4905LPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -260 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V 20 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +175C —
প্যাকেজ D2PAK (TO-263) TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET (Planar) HEXFET (IR MOSFET)
MSL লেভেল 1 —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
Lead-Free Yes —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — -74 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C — 200 W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55C to +150C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value]
Rise Time (tr) typ — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (tf) typ — [DATA_NEEDED: fall time]
Lead-Free / RoHS — Yes (PbF suffix)
Avalanche Rated — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট