IRF4905STRLPBF vs IRF4905LPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF4905STRLPBF द्वारा Infineon और IRF4905LPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon
IRF4905STRLPBF ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF4905STRLPBF | IRF4905LPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | -74 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | -260 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V | 20 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 170 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | — |
| पैकेज | D2PAK (TO-263) | TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | HEXFET (Planar) | HEXFET (IR MOSFET) |
| MSL स्तर | 1 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | — | -74 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V | — | 20 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C | — | 200 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +150C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC value] |
| Rise Time (tr) typ | — | [DATA_NEEDED: rise time] |
| Fall Time (tf) typ | — | [DATA_NEEDED: fall time] |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PbF suffix) |
| Avalanche Rated | — | Yes |